молекулярно-пучковая эпитаксия кремния — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… … Radioelektronikos terminų žodynas
эпитаксия газофазная — Термин эпитаксия газофазная Термин на английском metalorganic vapour phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры MOVPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, химическое осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия… … Энциклопедический словарь нанотехнологий
Жидкофазная эпитаксия — Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского). Готовится шихта из… … Википедия
Газофазная эпитаксия — Газофазная эпитаксия получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных… … Википедия
Молекулярно-пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслон … Википедия
Молекулярно-лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
Молекулярно — лучевая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
Молекулярно — пучковая эпитаксия — Система молекулярно пучковой эпитаксии. Видна ростовая камера (слева) и камера загрузки образцов (справа), разделенные заслонкой шибером. Молекулярно пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно лучевая эпитаксия (МЛЭ) эпитаксиальный рост в условиях… … Википедия
ПЛАНАРНАЯ ТЕХНОЛОГИЯ — (от англ. planar плоский), совокупность способов изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем путем формирования их структур только с одной стороны пластины (подложки), вырезанной из монокристалла. П. т. основа микроэлектроники,… … Химическая энциклопедия
Silizium-Molekularstrahlepitaxie — molekulinė silicio epitaksija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon molecular beam epitaxy vok. Silizium Molekularstrahlepitaxie, f rus. молекулярно пучковая эпитаксия кремния, f pranc. épitaxie de silicium par jet… … Radioelektronikos terminų žodynas